半导体电子工业材料用纳米氧化锡

纯　度：光谱法分析测试杂质含量。

晶粒度：X—衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。

颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分布的测定 X射线小角度散射法；GB/T13390粉末比表面的测定—氮吸附法（BET）：透射电镜（TEM）观察。

比表面积：GB/T13390粉末比表面的测定—氮吸附法（BET）。

参数指标：

主要用途：

①化工原料，ITO等半导体电子工业材料，

②陶瓷釉料的遮光剂、乳浊剂、着色剂，气敏元件材料，

③导电陶瓷及电极材料，抗菌材料，低辐射玻璃，抗静电材料，有机合成催化剂，锡盐，织物媒染剂和增重剂，钢和玻璃的磨光剂等。

④银锡触头材料。银氧化锡触头材料是近年发展迅速的新型环保电触头材料,是替代传统银氧化镉触头的理想材料；

⑤塑料和建筑行业的抗静电添加剂；

⑥用于平板和CRT(阴极射线管)显示的透明导电材料；

⑦电工及电子元件；

⑧用于熔炼特种玻璃的氧化锡电极 ；

⑨用于光催化抗菌材料等。

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